casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD04N50C3BTMA1
codice articolo del costruttore | SPD04N50C3BTMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SPD04N50C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD04N50C3BTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD04N50C3BTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD04N50C3BTMA1-FT |
IPD60R385CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K3C6
Infineon Technologies
IPD60R450E6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R450E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R520CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R600C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R600C6BTMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel