casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD01N60C3BTMA1
codice articolo del costruttore | SPD01N60C3BTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD01N60C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD01N60C3BTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 11W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD01N60C3BTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD01N60C3BTMA1-FT |
IPD60R280CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K0C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R380C6
Infineon Technologies
IPD60R380E6ATMA2
Infineon Technologies
IPD60R380E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R380P6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K3C6
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel