casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD01N60C3BTMA1
codice articolo del costruttore | SPD01N60C3BTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD01N60C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD01N60C3BTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 11W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD01N60C3BTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD01N60C3BTMA1-FT |
IPD60R280CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K0C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R380C6
Infineon Technologies
IPD60R380E6ATMA2
Infineon Technologies
IPD60R380E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R380P6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K3C6
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel