casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD03N60C3BTMA1
codice articolo del costruttore | SPD03N60C3BTMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SPD03N60C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD03N60C3BTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD03N60C3BTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD03N60C3BTMA1-FT |
IPD60R380P6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K3C6
Infineon Technologies
IPD60R450E6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R450E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R520CPBTMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation