casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD02N80C3BTMA1
codice articolo del costruttore | SPD02N80C3BTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD02N80C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD02N80C3BTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD02N80C3BTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD02N80C3BTMA1-FT |
IPD60R380E6ATMA2
Infineon Technologies
IPD60R380E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R380P6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K3C6
Infineon Technologies
IPD60R450E6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R450E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6BTMA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel