casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD03N50C3BTMA1
codice articolo del costruttore | SPD03N50C3BTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD03N50C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD03N50C3BTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD03N50C3BTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD03N50C3BTMA1-FT |
IPD60R380E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R380P6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R385CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R3K3C6
Infineon Technologies
IPD60R450E6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R450E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520CPATMA1
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel