casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD04N50C3T
codice articolo del costruttore | SPD04N50C3T |
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Numero di parte futuro | FT-SPD04N50C3T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD04N50C3T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD04N50C3T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD04N50C3T-FT |
IPD60R3K3C6
Infineon Technologies
IPD60R450E6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R450E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R520C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R520CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R520CPBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R600C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R600C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R600CPATMA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel