casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1285AS-H-1R0M=P2
codice articolo del costruttore | 1285AS-H-1R0M=P2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1285AS-H-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610C |
1285AS-H-1R0M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 96 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1285AS-H-1R0M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1285AS-H-1R0M=P2-FT |
DFE201610P-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R47M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R68M=P2
Murata Electronics North America
LFE2-6SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF43I4
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation