casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1269AS-H-1R5M=P2
codice articolo del costruttore | 1269AS-H-1R5M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-1269AS-H-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010C |
1269AS-H-1R5M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 108 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1269AS-H-1R5M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1269AS-H-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ2N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4C02D
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LQG15WZ2N4S02D
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LQG15WZ2N7C02D
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LQG15WZ3N0C02D
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LQG15WZ3N3C02D
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LQG15WZ3N3S02D
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LQG15WZ3N6C02D
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LQG15WZ3N6S02D
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP1S80F1508C7N
Intel