casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201612P-1R0M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201612P-1R0M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201612P-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201612P |
DFE201612P-1R0M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 54 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201612P-1R0M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201612P-1R0M=P2-FT |
LQG15WZ2N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9C02D
Murata Electronics North America
XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel