casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252010P-4R7M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252010P-4R7M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252010P-4R7M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010P |
DFE252010P-4R7M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.7A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252010P-4R7M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252010P-4R7M=P2-FT |
LQG15WZ2N4S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6S02D
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LQG15WZ3N9C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3C02D
Murata Electronics North America
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel
EPF8636AQC160-3
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel