casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201610P-R68M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201610P-R68M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201610P-R68M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610P |
DFE201610P-R68M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 680nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.7A |
Corrente - Saturazione | 3.6A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 48 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-R68M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201610P-R68M=P2-FT |
LQG15WZ3N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N9S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ4N7S02D
Murata Electronics North America
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC484-1
Intel
5SGXEA7K2F40I2LN
Intel
XC6SLX16-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
Intel
5SGXEA3H3F35C3N
Intel