casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201610R-H-R47M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201610R-H-R47M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201610R-H-R47M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610R |
DFE201610R-H-R47M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.8A |
Corrente - Saturazione | 5.4A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 26 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610R-H-R47M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201610R-H-R47M=P2-FT |
LQG15WZ2N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0S02D
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LQG15WZ2N2C02D
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LQG15WZ2N2S02D
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LQG15WZ2N4S02D
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LQG15WZ3N3C02D
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LQG15WZ3N3S02D
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LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TL-FCG484E
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MPF300TS-FCG484I
Microsemi Corporation
EP2C50F484C8N
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XC2V2000-5BG575I
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AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N3F40E2LG
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Intel