casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252010P-R47M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252010P-R47M=P2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DFE252010P-R47M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010P |
DFE252010P-R47M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 35 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252010P-R47M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252010P-R47M=P2-FT |
LQG15WZ2N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ3N6C02D
Murata Electronics North America
AGLE600V2-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC484-1
Intel
5SGXMB5R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
XC4005L-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5M13C7N
Intel