casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UMH1NTN
codice articolo del costruttore | UMH1NTN |
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Numero di parte futuro | FT-UMH1NTN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMH1NTN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMH1NTN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMH1NTN-FT |
FMG2AT148
Rohm Semiconductor
FMG3AT148
Rohm Semiconductor
FMG4AT148
Rohm Semiconductor
FMG6AT148
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FMA10AT148
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XC6SLX75-2FGG484C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-2N
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LFXP6C-5Q208C
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LFXP20E-4F256C
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5CEFA2U19A7N
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