casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMA10AT148
codice articolo del costruttore | FMA10AT148 |
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Numero di parte futuro | FT-FMA10AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMA10AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA10AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMA10AT148-FT |
RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2511(TE85L,F)
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RN1505(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1508(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1511(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2504(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX75-N3CSG484I
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
10AX027H2F34I2SG
Intel
5SGXMA7N3F45C2N
Intel
5SGSMD8N2F45I3LN
Intel
XC5VTX150T-1FFG1156C
Xilinx Inc.