casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMA10AT148
codice articolo del costruttore | FMA10AT148 |
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Numero di parte futuro | FT-FMA10AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMA10AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA10AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMA10AT148-FT |
RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2510(TE85L,F)
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RN2511(TE85L,F)
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RN2504(TE85L,F)
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
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LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-6FGG256I
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XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
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EP1K100FC256-2N
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5SGSMD6K2F40I3LN
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EP3SL200F1152I4L
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EP1S30F780C7N
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EP2S90F1020C5N
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