casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMA8AT148
codice articolo del costruttore | FMA8AT148 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FMA8AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMA8AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA8AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMA8AT148-FT |
RN1505(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1508(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1511(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2504(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2505TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZQNG48
Microsemi Corporation
EP4SGX530NF45I4
Intel
5AGZME5H3F35C4N
Intel
5SGXEA5K2F35I3LN
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
XC7K480T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG676I
Microsemi Corporation