casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMG6AT148
codice articolo del costruttore | FMG6AT148 |
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Numero di parte futuro | FT-FMG6AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMG6AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMG6AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMG6AT148-FT |
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2506(TE85L,F)
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RN2510(TE85L,F)
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RN2511(TE85L,F)
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RN1505(TE85L,F)
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RN1503(TE85L,F)
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RN1502(TE85L,F)
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RN1508(TE85L,F)
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RN1511(TE85L,F)
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RN2503(TE85L,F)
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AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C6
Intel
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-1FF900I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N4F45I3SG
Intel
EP1S30F1020C7
Intel