casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMG6AT148
codice articolo del costruttore | FMG6AT148 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FMG6AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMG6AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMG6AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMG6AT148-FT |
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2511(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1505(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1508(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1511(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP20K300EFC672-1N
Intel
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
10AX032H3F35I2LG
Intel
5SGXEB5R2F43C3N
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30B956C6
Intel
EP20K600CB652C9
Intel