casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMG3AT148
codice articolo del costruttore | FMG3AT148 |
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Numero di parte futuro | FT-FMG3AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMG3AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMG3AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMG3AT148-FT |
RN1509(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2502(TE85L,F)
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RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2511(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1505(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1508(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P125-1TQ144
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-2N
Intel
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SEE9H40I2LN
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
XC6VLX195T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
5AGXBB7D4F35C5N
Intel