casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMA11AT148
codice articolo del costruttore | FMA11AT148 |
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Numero di parte futuro | FT-FMA11AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMA11AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA11AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMA11AT148-FT |
RN2510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2511(TE85L,F)
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RN1505(TE85L,F)
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RN1503(TE85L,F)
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RN1502(TE85L,F)
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RN1508(TE85L,F)
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RN1511(TE85L,F)
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RN2503(TE85L,F)
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RN2504(TE85L,F)
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RN2507(TE85L,F)
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AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC7A200T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C9LN
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
EP4S100G5H40I3N
Intel
LFEC3E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100BC356-2
Intel
EP1K100QC208-2
Intel