casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPT60R050G7XTMA1
codice articolo del costruttore | IPT60R050G7XTMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPT60R050G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ G7 |
IPT60R050G7XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2670pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 245W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-2 |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPT60R050G7XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPT60R050G7XTMA1-FT |
IPS04N03LB G
Infineon Technologies
IPS050N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS05N03LA G
Infineon Technologies
IPS05N03LB G
Infineon Technologies
IPS060N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS06N03LA G
Infineon Technologies
IPS06N03LZ G
Infineon Technologies
IPS075N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS090N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS09N03LA G
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel