casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF7675M2TR
codice articolo del costruttore | AUIRF7675M2TR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF7675M2TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF7675M2TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta), 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ M2 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric M2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7675M2TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF7675M2TR-FT |
IPS090N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS09N03LA G
Infineon Technologies
IPS09N03LB G
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IPS105N03LGAKMA1
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IPS10N03LA G
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IPS110N12N3GBKMA1
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IPS118N10N G
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IPS12CN10LGBKMA1
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IPS135N03LGAKMA1
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IPS13N03LA G
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel