casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF7675M2TR
codice articolo del costruttore | AUIRF7675M2TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AUIRF7675M2TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF7675M2TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta), 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ M2 |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric M2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7675M2TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF7675M2TR-FT |
IPS090N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS09N03LA G
Infineon Technologies
IPS09N03LB G
Infineon Technologies
IPS105N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS10N03LA G
Infineon Technologies
IPS110N12N3GBKMA1
Infineon Technologies
IPS118N10N G
Infineon Technologies
IPS12CN10LGBKMA1
Infineon Technologies
IPS135N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS13N03LA G
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel