casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPT65R105G7XTMA1
codice articolo del costruttore | IPT65R105G7XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPT65R105G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPT65R105G7XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 8.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-2 |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPT65R105G7XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPT65R105G7XTMA1-FT |
IPS06N03LZ G
Infineon Technologies
IPS075N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS090N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS09N03LA G
Infineon Technologies
IPS09N03LB G
Infineon Technologies
IPS105N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS10N03LA G
Infineon Technologies
IPS110N12N3GBKMA1
Infineon Technologies
IPS118N10N G
Infineon Technologies
IPS12CN10LGBKMA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel