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Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1

Numero parte MFG
IPT60R080G7XTMA1
quantità disponibile
25440 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.976576
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ G7 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPT60R080G7XTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPT60R080G7XTMA1
Numero di parte futuro FT-IPT60R080G7XTMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ G7
IPT60R080G7XTMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 490µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-HSOF-8-2
Pacchetto / caso 8-PowerSFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT60R080G7XTMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPT60R080G7XTMA1-FT

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