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Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1

Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R080G7XTMA1
Price: 2.976576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (670 reviews)

Numero parte MFG: IPT60R080G7XTMA1

quantità disponibile: 25440 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.976576

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolMOS™ G7 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPT60R080G7XTMA1.pdf

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IPT60R080G7XTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPT60R080G7XTMA1
Numero di parte futuro	FT-IPT60R080G7XTMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ G7
IPT60R080G7XTMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1640pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-HSOF-8-2
Pacchetto / caso	8-PowerSFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT60R080G7XTMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPT60R080G7XTMA1-FT

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