casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPT60R028G7XTMA1
codice articolo del costruttore | IPT60R028G7XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPT60R028G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ G7 |
IPT60R028G7XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 28.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.44mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 391W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-2 |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPT60R028G7XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPT60R028G7XTMA1-FT |
IPS04N03LA G
Infineon Technologies
IPS04N03LB G
Infineon Technologies
IPS050N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS05N03LA G
Infineon Technologies
IPS05N03LB G
Infineon Technologies
IPS060N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS06N03LA G
Infineon Technologies
IPS06N03LZ G
Infineon Technologies
IPS075N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS090N03LGAKMA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
Intel