casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPW35N60C3FKSA1
codice articolo del costruttore | SPW35N60C3FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPW35N60C3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPW35N60C3FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1.9mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 313W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW35N60C3FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPW35N60C3FKSA1-FT |
IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R190G7XTMA1
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IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R080G7XTMA1
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IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R125G7XTMA1
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IPT60R150G7XTMA1
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