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Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1

Numero parte MFG
IPDD60R102G7XTMA1
quantità disponibile
78800 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.369504
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ G7 MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPDD60R102G7XTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPDD60R102G7XTMA1
Numero di parte futuro FT-IPDD60R102G7XTMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ G7
IPDD60R102G7XTMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 390µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 139W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-HDSOP-10-1
Pacchetto / caso 10-PowerSOP Module
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPDD60R102G7XTMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPDD60R102G7XTMA1-FT

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