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Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1

Name: IPDD60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R102G7XTMA1
Price: 2.369504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (758 reviews)

Numero parte MFG: IPDD60R102G7XTMA1

quantità disponibile: 78800 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.369504

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolMOS™ G7 MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPDD60R102G7XTMA1.pdf

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IPDD60R102G7XTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPDD60R102G7XTMA1
Numero di parte futuro	FT-IPDD60R102G7XTMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ G7
IPDD60R102G7XTMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 390µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	139W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-HDSOP-10-1
Pacchetto / caso	10-PowerSOP Module
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPDD60R102G7XTMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPDD60R102G7XTMA1-FT

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