casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPDD60R080G7XTMA1
codice articolo del costruttore | IPDD60R080G7XTMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPDD60R080G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ G7 |
IPDD60R080G7XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 174W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HDSOP-10-1 |
Pacchetto / caso | 10-PowerSOP Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPDD60R080G7XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPDD60R080G7XTMA1-FT |
IPS031N03L G
Infineon Technologies
IPS03N03LA G
Infineon Technologies
IPS03N03LB G
Infineon Technologies
IPS040N03LGBKMA1
Infineon Technologies
IPS04N03LA G
Infineon Technologies
IPS04N03LB G
Infineon Technologies
IPS050N03LGAKMA1
Infineon Technologies
IPS05N03LA G
Infineon Technologies
IPS05N03LB G
Infineon Technologies
IPS060N03LGAKMA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel