casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPW24N60CFDFKSA1

| codice articolo del costruttore | SPW24N60CFDFKSA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SPW24N60CFDFKSA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CoolMOS™ |
| SPW24N60CFDFKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3160pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 240W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SPW24N60CFDFKSA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SPW24N60CFDFKSA1-FT |

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies

IPDD60R150G7XTMA1
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IPDD60R080G7XTMA1
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