casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPW20N60S5FKSA1
codice articolo del costruttore | SPW20N60S5FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPW20N60S5FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPW20N60S5FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW20N60S5FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPW20N60S5FKSA1-FT |
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel