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Vishay Siliconix SISA18DN-T1-GE3
- Numero parte MFG
- SISA18DN-T1-GE3
- quantità disponibile
- 98910 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Vishay Siliconix
- Breve descrizione
- TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SISA18DN-T1-GE3.pdf
SISA18DN-T1-GE3 specificazioni
| codice articolo del costruttore | SISA18DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SISA18DN-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® |
| SISA18DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SISA18DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SISA18DN-T1-GE3-FT |
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