casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISS27ADN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SISS27ADN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SISS27ADN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen III |
SISS27ADN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4660pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS27ADN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISS27ADN-T1-GE3-FT |
IRFU4105ZTR
Vishay Siliconix
IRFU4105ZTRL
Vishay Siliconix
IRFU4105ZTRR
Vishay Siliconix
IRFU420
Vishay Siliconix
IRFU9010
Vishay Siliconix
IRFU9014
Vishay Siliconix
IRFU9020
Vishay Siliconix
IRFU9024
Vishay Siliconix
IRFU9110
Vishay Siliconix
IRFU9120
Vishay Siliconix
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation