casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7104DN-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7104DN-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7104DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7104DN-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7104DN-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7104DN-T1-E3-FT |
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