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Vishay Siliconix SIS606BDN-T1-GE3

Name: SIS606BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS606BDN-T1-GE3
Price: 0.56416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (634 reviews)

Numero parte MFG: SIS606BDN-T1-GE3

quantità disponibile: 31050 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.56416

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIS606BDN-T1-GE3.pdf

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SIS606BDN-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIS606BDN-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIS606BDN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIS606BDN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1470pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS606BDN-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIS606BDN-T1-GE3-FT

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