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Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3

Name: SISA88DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA88DN-T1-GE3
Price: 0.166064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (224 reviews)

Numero parte MFG: SISA88DN-T1-GE3

quantità disponibile: 74560 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.166064

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SISA88DN-T1-GE3.pdf

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SISA88DN-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SISA88DN-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SISA88DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SISA88DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	985pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISA88DN-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SISA88DN-T1-GE3-FT

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