casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISS28DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SISS28DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SISS28DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SISS28DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.52 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3640pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS28DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISS28DN-T1-GE3-FT |
IRFU4105ZTRL
Vishay Siliconix
IRFU4105ZTRR
Vishay Siliconix
IRFU420
Vishay Siliconix
IRFU9010
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IRFU9014
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IRFU9020
Vishay Siliconix
IRFU9024
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IRFU9110
Vishay Siliconix
IRFU9120
Vishay Siliconix
IRFU9210
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel