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Rohm Semiconductor RS1E320GNTB

Numero parte MFG
RS1E320GNTB
quantità disponibile
15530 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.39536
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RS1E320GNTB specificazioni

codice articolo del costruttore RS1E320GNTB
Numero di parte futuro FT-RS1E320GNTB
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RS1E320GNTB Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2850pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 34.6W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSOP
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1E320GNTB Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RS1E320GNTB-FT

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