casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RQ3E100BNTB
codice articolo del costruttore | RQ3E100BNTB |
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Numero di parte futuro | FT-RQ3E100BNTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3E100BNTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E100BNTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RQ3E100BNTB-FT |
RCJ120N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ120N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ160N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ200N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ220N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ450N20TL
Rohm Semiconductor
RSJ151P10TL
Rohm Semiconductor
RSJ250P10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ301N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N06FRATL
Rohm Semiconductor
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation