casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RQ3C150BCTB
codice articolo del costruttore | RQ3C150BCTB |
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Numero di parte futuro | FT-RQ3C150BCTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3C150BCTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3C150BCTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RQ3C150BCTB-FT |
RCJ100N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ120N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ120N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ160N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ200N20TL
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RCJ220N25TL
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RSJ250P10FRATL
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