casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RF4C050APTR
codice articolo del costruttore | RF4C050APTR |
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Numero di parte futuro | FT-RF4C050APTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF4C050APTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | HUML2020L8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerUDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF4C050APTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF4C050APTR-FT |
R6020PNJFRATL
Rohm Semiconductor
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