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Rohm Semiconductor RF4E080BNTR

Name: RF4E080BNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080BNTR
Price: 0.188736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (214 reviews)

Numero parte MFG: RF4E080BNTR

quantità disponibile: 19630 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.188736

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RF4E080BNTR.pdf

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RF4E080BNTR specificazioni

codice articolo del costruttore	RF4E080BNTR
Numero di parte futuro	FT-RF4E080BNTR
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RF4E080BNTR Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	HUML2020L8
Pacchetto / caso	8-PowerUDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RF4E080BNTR Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RF4E080BNTR-FT

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