casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RF4E110BNTR
codice articolo del costruttore | RF4E110BNTR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RF4E110BNTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF4E110BNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | HUML2020L8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerUDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF4E110BNTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF4E110BNTR-FT |
R8005ANJFRGTL
Rohm Semiconductor
R8008ANJFRGTL
Rohm Semiconductor
RCJ081N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ100N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ120N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ120N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ160N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ200N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ220N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ450N20TL
Rohm Semiconductor
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel