casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK4514DPK-00#T0
codice articolo del costruttore | RJK4514DPK-00#T0 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RJK4514DPK-00#T0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK4514DPK-00#T0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK4514DPK-00#T0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK4514DPK-00#T0-FT |
RQ3E080BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E080GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E150BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E160ADTB
Rohm Semiconductor
RQ3E180AJTB
Rohm Semiconductor
RQ3E180BNTB
Rohm Semiconductor