casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RQ3E180BNTB
codice articolo del costruttore | RQ3E180BNTB |
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Numero di parte futuro | FT-RQ3E180BNTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3E180BNTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E180BNTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RQ3E180BNTB-FT |
R5007ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009FNJTL
Rohm Semiconductor
R5011ANJTL
Rohm Semiconductor
R5013ANJTL
Rohm Semiconductor
R5016ANJTL
Rohm Semiconductor
R5016FNJTL
Rohm Semiconductor
R5021ANJTL
Rohm Semiconductor
R6012ANJTL
Rohm Semiconductor
R6012FNJTL
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XC6SLX45-3FG676C
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XC4005L-5PQ208C
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XC2VP2-7FG456C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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LFEC1E-4Q208C
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Intel