casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RQ3E080BNTB
codice articolo del costruttore | RQ3E080BNTB |
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Numero di parte futuro | FT-RQ3E080BNTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3E080BNTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E080BNTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RQ3E080BNTB-FT |
RSJ250P10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ301N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N06FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ451N04FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ550N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
R5005CNJTL
Rohm Semiconductor
R5007ANJTL
Rohm Semiconductor
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel