casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RQ3E080BNTB
codice articolo del costruttore | RQ3E080BNTB |
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Numero di parte futuro | FT-RQ3E080BNTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3E080BNTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E080BNTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RQ3E080BNTB-FT |
RSJ250P10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ301N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N06FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ451N04FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ550N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
R5005CNJTL
Rohm Semiconductor
R5007ANJTL
Rohm Semiconductor
XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
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5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
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5AGXFB1H4F35C4N
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