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Rohm Semiconductor RQ3E180AJTB

Name: RQ3E180AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180AJTB
Price: 0.32424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (62 reviews)

Numero parte MFG: RQ3E180AJTB

quantità disponibile: 47960 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.32424

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fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RQ3E180AJTB.pdf

RQ3E180AJTB specificazioni

codice articolo del costruttore	RQ3E180AJTB
Numero di parte futuro	FT-RQ3E180AJTB
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RQ3E180AJTB Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Ta), 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 11mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4290pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E180AJTB Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RQ3E180AJTB-FT

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