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Rohm Semiconductor RQ3E080GNTB

Name: RQ3E080GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080GNTB
Price: 0.099 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (153 reviews)

Numero parte MFG: RQ3E080GNTB

quantità disponibile: 19170 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.099

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fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RQ3E080GNTB.pdf

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RQ3E080GNTB specificazioni

codice articolo del costruttore	RQ3E080GNTB
Numero di parte futuro	FT-RQ3E080GNTB
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RQ3E080GNTB Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.7 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 15W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E080GNTB Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RQ3E080GNTB-FT

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