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Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB

Name: RQ3E120BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120BNTB
Price: 0.12028 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (361 reviews)

Numero parte MFG: RQ3E120BNTB

quantità disponibile: 35460 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.12028

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RQ3E120BNTB.pdf

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RQ3E120BNTB specificazioni

codice articolo del costruttore	RQ3E120BNTB
Numero di parte futuro	FT-RQ3E120BNTB
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RQ3E120BNTB Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E120BNTB Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RQ3E120BNTB-FT

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