casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RQ3E120BNTB
codice articolo del costruttore | RQ3E120BNTB |
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Numero di parte futuro | FT-RQ3E120BNTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3E120BNTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E120BNTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RQ3E120BNTB-FT |
RSJ400N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ451N04FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ550N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
R5005CNJTL
Rohm Semiconductor
R5007ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009FNJTL
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R5011ANJTL
Rohm Semiconductor
R5013ANJTL
Rohm Semiconductor
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation