casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSVT65011MW6T1G
codice articolo del costruttore | NSVT65011MW6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVT65011MW6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVT65011MW6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 380mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88 (SOT-363) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVT65011MW6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVT65011MW6T1G-FT |
CPH5520-TL-E
ON Semiconductor
NST3906DP6T5G
ON Semiconductor
NST847BDP6T5G
ON Semiconductor
NST3904DP6T5G
ON Semiconductor
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor
NST857BDP6T5G
ON Semiconductor
NSVT3904DP6T5G
ON Semiconductor
NST3946DP6T5G
ON Semiconductor
NST3946DXV6T1G
ON Semiconductor
EMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
XC3S1000-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C7N
Intel
5AGXBA7D6F27C6N
Intel
EP3C16E144I7
Intel
EP4SE530F43I3
Intel
XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation