casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NST857BDP6T5G
codice articolo del costruttore | NST857BDP6T5G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NST857BDP6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NST857BDP6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST857BDP6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NST857BDP6T5G-FT |
VT6T1T2R
Rohm Semiconductor
VT6X11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T12T2R
Rohm Semiconductor
VT6T2T2R
Rohm Semiconductor
VT6X12T2R
Rohm Semiconductor
UMZ1NTR
Rohm Semiconductor
UMZ2NTR
Rohm Semiconductor
UMT1NTN
Rohm Semiconductor
UMX1NTN
Rohm Semiconductor
XC3S1200E-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XCV300E-6FG456C
Xilinx Inc.
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC2V2000-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel