casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NST857BDP6T5G
codice articolo del costruttore | NST857BDP6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NST857BDP6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NST857BDP6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST857BDP6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NST857BDP6T5G-FT |
VT6T1T2R
Rohm Semiconductor
VT6X11T2R
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VT6T11T2R
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VT6T12T2R
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UMZ2NTR
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UMT1NTN
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UMX1NTN
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XC3S700A-4FTG256I
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XCV200E-6FG456C
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XC3S700A-5FGG484C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PL68
Microsemi Corporation
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5SGXEA5K2F40I2L
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EP1M350F780C5
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5SGXEABN3F45C3N
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LFE2-35SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C6N
Intel