casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSVT3904DP6T5G
codice articolo del costruttore | NSVT3904DP6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVT3904DP6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVT3904DP6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVT3904DP6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVT3904DP6T5G-FT |
VT6X11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T12T2R
Rohm Semiconductor
VT6T2T2R
Rohm Semiconductor
VT6X12T2R
Rohm Semiconductor
UMZ1NTR
Rohm Semiconductor
UMZ2NTR
Rohm Semiconductor
UMT1NTN
Rohm Semiconductor
UMX1NTN
Rohm Semiconductor
UMX3NTR
Rohm Semiconductor
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
XA3S200-4PQG208I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQG240I
Microsemi Corporation
EPF10K250EBI600-3
Intel
10AX027H2F34E2SG
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
LFE2-50E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-4AA
Intel